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論文

10GHz MINI-ECRの開発と12GHz MINI-ECR IIの設計

齋藤 勇一; 横田 渉; 大越 清紀

KEK Proceedings 99-22, p.1 - 16, 2000/01

TIARAでは1994年より、静電加速器用の小型で低消費電力のECRイオン源の開発を進めている。MINI-ECRではすべての磁石に永久磁石を採用したECRイオン源で、トランジスタアンプで発生した10GHzのマイクロ波で動作する。独自な形状の電極を用いたバイアスプローブ法で価数の向上とビーム電流の増大に成功し、1$$mu$$A近いAr$$^{9+}$$を得ている。さらに、ECRイオン源でSF$$_{6}$$プラズマ法を使用した高融点金属イオンの生成技術も確立した。現在、400kVイオン注入器に搭載され、MeVイオン注入の実現に向けてビーム加速テストが行われている。MINI-ECR IIは12GHzで動作するため、磁場をさらに強くするように永久磁石の配置に新たな工夫をした。現在は、試験運転の準備を進めているところである。講演では、静電加速器用小型ECRイオン源に特有な技術、MINI-ECRの特徴と到達性能及びMINI-ECR IIの設計磁場の特徴を報告する。

論文

Excitation, impact and control of toroidicity-induced alfven eigenmodes in the JT-60U ICRF experiments

木村 晴行; 三枝 幹雄; 近藤 貴; 小関 隆久; 森山 伸一; 藤井 常幸

プラズマ・核融合学会誌, 71(11), p.1147 - 1164, 1995/11

JT-60Uにおいてトロイダルアルヴェン固有(TAE)モードの研究がITER対応の条件、即ち4MAまでの高プラズマ電流(Ip)、2.8までの低安全係数にて、第2高調波少数イオンICRF加熱を用いて行われている。Ipの増大とともに、より高いトロイダルモード数が現れる。TAEモードによるMeVイオンの減少はTAEモードの振幅に比例する。しかし高電子密度ではTAEモードの振幅は依然大きいもののMeVイオンの減少は重要ではなくなる。TAEモードの制御に非誘導電流駆動による電流分布制御が有効であることが示される。

報告書

MeVイオンマイクロビーム技術の開発; 原研・早稲田大学共同研究成果報告

神谷 富裕; 水橋 清; 峰原 英介; 宇都宮 伸宏*; 田中 隆一; 丸山 倫夫*; M.Koh*; 則武 克誌*; 松川 貴*; 杉森 正章*; et al.

JAERI-M 94-033, 108 Pages, 1994/03

JAERI-M-94-033.pdf:4.24MB

早稲田大学と原研は、MeV領域のマイクロビーム技術の開発を目的として、マイクロビーム形成装置を共同で設計・製作し、同大学理工学研究所の1.7MVタンデム加速器のビームラインに設置した。同加速器から引出された3MeV、He$$^{+}$$のビームを用いてビーム集束化の実験を行い、ターゲットにおいて1.7$$times$$1.9$$mu$$m$$^{2}$$のサイズのビームスポットを得た。また、ビーム集束研究の基盤技術として、加速器、特にイオン源の電流安定化の検討・精密二連四重極電磁石レンズ(Qレンズ)の磁場解析、振動測定等を行うとともに、マイクロビーム技術開発研究に必要な実験の基礎となるデータを得た。本報告は本装置の概要及び共同研究の成果について述べる。

論文

イオンマイクロビーム技術とその応用の新展開

田中 隆一; 神谷 富裕

放射線, 20(3), p.21 - 32, 1994/00

MeV領域のイオンマイクロビーム技術は、これまで主として局所微量元素分析の手段として、最近十数年間に急速に進歩した。この目的には軽イオンが使われてきたが、新しい応用として、半導体素子や生物細胞等の複雑な内部構造をもつ系内の局所照射効果の研究に重イオンマイクロビームを用いる研究が注目を集めている。ここでは、局所重粒子照射効果の研究を目的とする重イオンマイクロビーム形成、照準及びシングルイオンヒット技術の最近の研究を紹介する。また、サブミクロンあるいはそれ以下のマイクロビーム形成の研究やさらに高いエネルギーのマイクロビーム形成の研究についても言及する。

論文

Field analysis of quadrupole magnet for MeV ion microbeam

神谷 富裕; 峰原 英介

Proceedings of 2nd International Symposium on Advanced Nuclear Energy Research; Evolution by Accelerators, p.337 - 341, 1990/01

MeVイオンマイクロビーム装置に用いる四重極電磁石の二次元磁場解析を行なった。目的は、電磁石のビーム集束特性を求めて、より高い性能のレンズを開発する事にある。最初に、既に制作した二連四重極電磁石の中心平面における二次元磁場分布を測定し、そのデータを解析することによって軸方向の多重極磁場成分の分布を求めた。次に、三次元磁場計算プログラムELF/MAGICを用いて同様の磁場分布をシミュレートし、同様の解析を加えたところ、磁極端領域に局在する高次の多重極磁場成分をよく再現した。

論文

Field analysis of quadrupole magnet for MeV ion microbeam

神谷 富裕; 峰原 英介

Proc. of the 8th Symp. on Ion Beam Technology Hosei University, p.45 - 50, 1989/00

MeVイオンマイクロビーム用四重極電磁石の測定と計算による磁場解析を行った。この目的は製作された電磁石の磁場特性を引き出し、今後製作する電磁石によって1$$mu$$m以下のビームスポットサイズを得るためである。最初に早稲田大学との共同研究において製作された二連四重極電磁石の水平中心平面内の垂直磁場分布をホールプローグを用いて測定した。次に3次元磁場計算プログラムELF/MAGICを用いて四重極電磁石のやはり水平中心平面内の垂直磁場分布を計算した。測定と計算の双方によって得られたデータから中心軸方向の多重極磁場成分の分布を同様の方法で求めた。今回は磁場の測定及び計算の方法を示し、得られた多重極磁場成分の分布について2つの結果の比較をし、議論する。

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